[发明专利]铁电存储单元的制备方法

权利要求书

1.一种铁电存储单元的制备方法，包括：

在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；

在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；

以LaMn₃Cr₄O₁₂为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；

在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极；

所述LaMn₃Cr₄O₁₂靶材的制备方法包括：

将La₂O₃(99.99％)、Mn₂O₃(99.99％)和Cr₂O₃(99.99％)按化学计量比1:3:4混合均匀得到原料混合物；

将所述原料混合物研磨30-90分钟；

将研磨后的原料混合物装入金或铂金胶囊中密封；

在六面顶压机中进行高温高压合成，合成压力为6-10GPa，合成温度为900-1100℃，保温10-60分钟后淬火至室温。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述金或铂金胶囊的直径为2-10mm，长度为2-10mm，壁厚为1-2mm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述上电极为Pt、Al、Ni、Ti、Cu、Au、Poly-Si中的一种或者多种组成的合金，所述下电极为Pt、Al、Ni、Ti、Cu、Au、Poly-Si中的一种或者多种组成的合金。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述铁电存储单元的工作温度低于170K。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述铁电介质层的极化和反铁磁有序耦合。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，磁场可调控铁电介质层的电极化强度。