[发明专利]离子敏感场效应管传感器及其读出电路有效
| 申请号： | 201510064989.7 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104614404B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘昱;王倩;卫宝跃;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/414;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种离子敏感场效应管传感器及其读出电路，所述读出电路包括pH值感应电路，基于MOS晶体管的折叠共源共栅运算放大器电路、电容反馈电路和缓冲级电路，所述MOS晶体管工作于亚阈值区，所述pH值感应电路的输入端与输入参考电极相连，所述pH值感应电路的输出端与所述折叠共源共栅运算放大器电路的第一差分输入端相连；所述折叠共源共栅运算放大器电路的第二差分输入端与共模输入电压相连，所述折叠共源共栅运算放大器电路的输出端同时与所述电容反馈电路的输入端和所述缓冲级电路的输入端相连；所述电容反馈电路的输出端与所述折叠共源共栅运算放大器电路的第一差分输入端相连；所述缓冲级电路的输出端为所述读出电路的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 敏感 场效应 传感器 及其 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种离子敏感场效应管传感器的读出电路，其特征在于，所述读出电路包括pH值感应电路，基于MOS晶体管的折叠共源共栅运算放大器电路、电容反馈电路和缓冲级电路，所述MOS晶体管工作于亚阈值区，其中，所述pH值感应电路的输入端与输入参考电极相连，所述pH值感应电路的输出端与所述折叠共源共栅运算放大器电路的第一差分输入端相连；所述折叠共源共栅运算放大器电路的第二差分输入端与共模输入电压相连，所述折叠共源共栅运算放大器电路的输出端同时与所述电容反馈电路的输入端和所述缓冲级电路的输入端相连；所述电容反馈电路的输出端与所述折叠共源共栅运算放大器电路的第一差分输入端相连；所述缓冲级电路的输出端为所述读出电路的输出端；所述pH值感应电路包括钝化电容，其中，所述钝化电容的正极与所述输入参考电极相连，所述钝化电容的负极与作为所述折叠共源共栅运算放大器电路的第一差分输入端的第一差分输入管相连，所述钝化电容与所述第一差分输入管构成离子敏感场效应管。
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