[发明专利]一种掩膜板及阵列基板的制造方法有效
| 申请号: | 201510064583.9 | 申请日: | 2015-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN104635416B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
| 发明(设计)人: | 杨怀伟 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/00;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
| 地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种掩膜板及阵列基板的制造方法,属于显示技术领域。掩膜板包括:对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域;第一区域具有至少一个第一开口,至少一个第一开口用于在阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔,GI过孔用于暴露出栅线;第二区域具有至少一个第二开口,至少一个第二开口为半色调掩膜开口,至少一个第二开口用于在阵列基板显示区域形成VIA过孔,VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案。本发明通过将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上,两种过孔采用同一块掩膜板形成,降低了产品的制造成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 掩膜板 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括:对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域;所述第一区域具有至少一个第一开口,所述至少一个第一开口用于在所述阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔,所述GI过孔用于暴露出栅线;所述第二区域具有至少一个第二开口,所述至少一个第二开口为半色调掩膜开口,所述至少一个第二开口用于在所述阵列基板显示区域形成VIA过孔,所述VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案;其中,所述掩膜板还包括:对应阵列基板集成电路接口IC Pad区域的第三区域;所述第三区域具有至少一个第三开口,所述至少一个第三开口为半色调掩膜开口,且所述至少一个第三开口用于在所述阵列基板IC Pad区域形成VIA过孔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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