[发明专利]一种掩膜板及阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510064583.9 申请日: 2015-02-06
公开(公告)号: CN104635416B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 杨怀伟 申请(专利权)人: 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32;G03F7/00;H01L21/77
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 鞠永善
地址: 230011 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 阵列 制造 方法
【说明书】:

发明公开了一种掩膜板及阵列基板的制造方法,属于显示技术领域。掩膜板包括:对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域;第一区域具有至少一个第一开口,至少一个第一开口用于在阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔,GI过孔用于暴露出栅线;第二区域具有至少一个第二开口,至少一个第二开口为半色调掩膜开口,至少一个第二开口用于在阵列基板显示区域形成VIA过孔,VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案。本发明通过将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上,两种过孔采用同一块掩膜板形成,降低了产品的制造成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜板及阵列基板的制造方法。

背景技术

在TFT(英文:Thin Film Transistor;中文:薄膜晶体管)液晶面板中,为了减小液晶面板的边框宽度,通常是通过GOA(英文:Gate On Array;中文:阵列基板行驱动)技术,将栅极驱动电路集成在液晶面板的阵列基板上,来代替外接的驱动芯片,从而实现液晶面板的显示功能。而阵列基板一般包括GOA区域和显示区域,在GOA区域中,需要通过形成贯穿GI(英文:Gate Insulator;中文:栅绝缘)层的过孔,将栅线与源漏金属层进行连接;在显示区域中,同样需要通过形成过孔将TFT的漏极与像素电极进行连接。

现有技术通常是制作两块掩膜板,即,采用GI掩膜板和VIA(中文:过孔)掩膜板分别形成位于GOA区域和显示区域的过孔。但是,制作两块掩膜板会增加产品的制造成本。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种掩膜板及阵列基板的制造方法。所述技术方案如下:

一方面,提供了一种掩膜板,所述掩膜板包括:对应阵列基板行驱动电路GOA区域的第一区域和对应阵列基板显示区域的第二区域;

所述第一区域具有至少一个第一开口,所述至少一个第一开口用于在所述阵列基板GOA区域形成栅绝缘层GI过孔,所述GI过孔用于暴露出栅线;

所述第二区域具有至少一个第二开口,所述至少一个第二开口为半色调掩膜开口,所述至少一个第二开口用于在所述阵列基板显示区域形成VIA过孔,所述VIA过孔用于暴露出源漏金属层的图案。

另一方面,提供了一种阵列基板的制造方法,采用上述的掩膜板,所述方法包括:

在透明基板上形成栅线的图案;

在形成有栅线图案的基板上形成栅绝缘层;

在所述栅绝缘层的表面,采用掩膜板,通过构图工艺在阵列基板行驱动电路GOA区域形成至少一个栅绝缘层GI过孔,所述至少一个GI过孔用于贯穿所述栅绝缘层以暴露出所述栅线;

在形成有至少一个GI过孔的基板表面依次形成有源层和源漏金属层的图案,在所述GOA区域,所述栅线与所述源漏金属层的图案在所述至少一个GI过孔位置处直接相连;

在形成有有源层和数据线图案的基板上形成保护层;

在所述保护层的表面,采用所述掩膜板,通过构图工艺在所述阵列基板显示区域形成至少一个VIA过孔,所述至少一个VIA过孔用于贯穿所述保护层以暴露出所述源漏金属层的图案。

在本发明实施例中,该掩膜板上包括至少一个第一开口和至少一个第二开口,通过第一开口可以在阵列基板GOA区域形成GI过孔,通过第二开口可以在阵列基板显示区域形成VIA过孔,也即是,将形成GOA区域GI过孔的第一开口和形成显示区域VIA过孔的第二开口制作在同一个掩膜板上,两种过孔采用同一块掩膜板形成,降低了产品的制造成本。

附图说明

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