[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510062509.3 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105984829A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 林元生;徐长生;林梦嘉;李世伟;陈彦达 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板及MEMS结构。基板包括CMOS结构。MEMS结构形成在基板上并相邻于CMOS结构。MEMS结构连接至CMOS结构。MEMS结构包括薄膜及背板。基板具有对应MEMS结构的空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：基板，包括CMOS结构；以及MEMS结构，形成在所述基板上并相邻于所述CMOS结构，所述MEMS结构连接至所述CMOS结构，所述MEMS结构包括：薄膜，由掺杂多晶硅制成；及背板；其中所述基板具有对应所述MEMS结构的空腔。
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