[发明专利]基于亚波长狭缝结构表面等离子体定向激发器在审
| 申请号： | 201510058151.7 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104714274A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 梁修业;王继成;刘冬冬;吴涛 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型，主要提供了一种通过改变狭缝的宽度和狭缝与狭缝之间的距离来控制表面等离子体基元的激发方向和分光比大小的方法。该基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元单向激发的模型包括设置在介质层两侧的金属层，介质层下方的金属层内设置两个矩形狭缝，两个矩形狭缝的宽度与介质层的厚度都不相同。该结构具有极强的光束缚效应，能突破衍射极限的限制，在纳米尺度对光进行传输。该单向激发模型最小的SPPs分光比大于6，这证明了该结构设置有良好的SPPs不定向激发。与使用基于侧照射两个狭缝的情况相比，可以通过使用两个双狭缝来增强干涉的强度和分裂效应，最好分光比约为30。这些设计将在微纳米集成光学和光通信上有着广泛使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波长 狭缝 结构 表面 等离子体 定向 激发 | ||
【主权项】：
一种基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元定向激发的模型，其特征在于：包括设置在介质层两侧的金属层，介质层下方的金属层内设置两个矩形狭缝，两个矩形狭缝的宽度与介质层的厚度都不相同。
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