[发明专利]基于亚波长狭缝结构表面等离子体定向激发器在审
| 申请号： | 201510058151.7 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104714274A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 梁修业;王继成;刘冬冬;吴涛 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 波长 狭缝 结构 表面 等离子体 定向 激发 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元定向激发的模型，其特征在于：包括设置在介质层两侧的金属层，介质层下方的金属层内设置两个矩形狭缝，两个矩形狭缝的宽度与介质层的厚度都不相同。
2.根据权利要求1所述的基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元定向激发的模型，其特征在于：所述的矩形狭缝为纳米矩形狭缝。
3.根据权利要求2所述的基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元定向激发的模型，其特征在于：所述金属层为银质金属层。
4.根据权利要求3所述的基于亚波长狭缝侧入射和底端入射来实现表面等离子体激元定向激发的模型，其特征在于：所述矩形狭缝内填充有二氧化硅材料。
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