[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置有效
| 申请号: | 201510057108.9 | 申请日: | 2015-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN104637956B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
| 发明(设计)人: | 齐永莲;张锋;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 苏培华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括薄膜晶体管,与薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极,以及与辅助电极电连接的透明阴极,其中所述有源层为氧化物半导体,所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体。根据本发明的技术方案,将有源层和辅助电极设置于同一层,因此可通过同一道刻蚀工艺形成有源层和辅助电极,无需增设形成辅助电极的工艺,从而减少阵列基板的整体工艺时间,节约了制作成本。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:薄膜晶体管,与所述薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极,以及与所述辅助电极电连接的透明阴极,其中所述有源层为氧化物半导体,所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体;所述阵列基板还包括设置在所述辅助电极上的第一刻蚀阻挡层,以防止辅助阴极在形成源漏极时受到损伤,其中,所述第一刻蚀阻挡层中设置有过孔,所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔与所述辅助电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510057108.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:估测果树树冠组成部分的生物量的方法
- 下一篇:一种生物有机碳素肥的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





