[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极，以及与所述辅助电极电连接的透明阴极，其中所述有源层为氧化物半导体，所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体；

所述阵列基板还包括设置在所述辅助电极上的第一刻蚀阻挡层，以防止辅助阴极在形成源漏极时受到损伤，其中，所述第一刻蚀阻挡层中设置有过孔，所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔与所述辅助电极电连接。

2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，还包括：

基底，设置于所述基底之上的栅极，设置于所述栅极之上的栅极绝缘层，其中，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上。

3.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述有源层上的第二刻蚀阻挡层，以及设置在所述第二刻蚀阻挡层上的源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别通过所述第二刻蚀阻挡层中的过孔与所述有源层电连接。

4.根据权利要求3所述阵列基板，其特征在于，还包括：

设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述源极、漏极和第一刻蚀阻挡层的钝化层，其中，所述钝化层中设置有过孔，

则所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔和所述钝化层中的过孔与所述辅助电极电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述阵列基板，其特征在于，还包括：在所述透明阴极上依次设置的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和反射阳极。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

形成氧化物半导体层；

对氧化物半导体层进行构图工艺，以形成薄膜晶体管的有源层，并在预设区域形成辅助电极图形；

对所述辅助电极图形进行等离子体处理以形成辅助电极；

形成与所述辅助电极电连接的透明阴极。

8.根据权利要求7所述制作方法，其特征在于，在形成氧化物半导体层之前还包括：

在基底上形成栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层；

所述氧化物半导体层形成在所述栅极绝缘层上。

9.根据权利要求8所述制作方法，其特征在于，在对氧化物半导体层进行构图工艺之后还包括：

在所述辅助电极图形上形成第一刻蚀阻挡层，则对所述辅助电极图形进行等离子体处理包括：

隔着所述第一刻蚀阻挡层对所述辅助电极图形进行等离子体处理，或在形成所述辅助电极图形之后和形成所述第一刻蚀阻挡层之前对所述辅助电极图形进行等离子体处理。

10.根据权利要求9所述制作方法，其特征在于，还包括：在形成第一刻蚀阻挡层时，在所述有源层上形成第二刻蚀阻挡层，

则在形成所述透明阴极之前还包括：

在所述第二刻蚀阻挡层中形成过孔，在所述第二刻蚀阻挡层上形成源极和漏极，将所述源极和漏极分别通过所述第二刻蚀阻挡层中的过孔与所述有源层电连接。

11.根据权利要求10所述制作方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极绝缘层上形成钝化层，使所述钝化层覆盖所述源极、漏极和第一刻蚀阻挡层，在所述钝化层中形成过孔，

则在形成所述透明阴极时，将所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔和所述钝化层中的过孔与所述辅助电极电连接。

12.根据权利要求7至11中任一项所述制作方法，其特征在于，在形成所述透明阴极之前还包括：对所述辅助电极进行退火处理。

13.根据权利要求7至11中任一项所述制作方法，其特征在于，还包括：在所述透明阴极上依次形成电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和反射阳极。