[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510055472.1 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104835834A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 上杉勉;加地彻;菊田大悟;成田哲生 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田中央研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层叠体；布置在所述半导体层叠体上的漏电极；布置在所述半导体层叠体上并且被定位为与所述漏电极分开的源电极；以及布置在所述半导体层叠体上并且被定位在所述漏电极和所述源电极之间的绝缘栅，其中所述半导体层叠体包括：第一半导体层；以及第二半导体层，所述第二半导体层布置在所述第一半导体层上并且具有与所述第一半导体层的带隙不同的带隙，在所述漏电极和所述绝缘栅之间的区域中，二维电子气层被配置成产生在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的异质结处，并且所述绝缘栅的一部分被配置成面对与所述源电极具有相同电位的部分。
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