[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510055472.1 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104835834A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 上杉勉;加地彻;菊田大悟;成田哲生 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田中央研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
半导体层叠体；
布置在所述半导体层叠体上的漏电极；
布置在所述半导体层叠体上并且被定位为与所述漏电极分开的源电极；以及
布置在所述半导体层叠体上并且被定位在所述漏电极和所述源电极之间的绝缘栅，
其中
所述半导体层叠体包括：
第一半导体层；以及
第二半导体层，所述第二半导体层布置在所述第一半导体层上并且具有与所述第一半导体层的带隙不同的带隙，
在所述漏电极和所述绝缘栅之间的区域中，二维电子气层被配置成产生在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的异质结处，并且
所述绝缘栅的一部分被配置成面对与所述源电极具有相同电位的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
所述半导体层叠体还包括电连接到所述源电极的n型的源区，并且
与所述源电极具有相同电位的所述部分是所述源区的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
所述绝缘栅是凹槽型的，其穿透所述第二半导体层并且到达所述第一半导体层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中
所述源区与所述凹槽型的绝缘栅的侧表面相接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
与所述源电极具有相同电位的所述部分是所述源电极的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中
所述绝缘栅是凹槽型的，其穿透所述第二半导体层并且到达所述第一半导体层。
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