[发明专利]微机电系统元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510053869.7 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN104817052B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蝦名昭彦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS元件及其制造方法。该MEMS元件为了抑制从配置有MEMS部的空间的内壁上产生气体，而将MEMS部配置于至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统元件，其中，在至少由第一氮化硅膜和硅膜构成的空间中配置有微机电系统部，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述第一氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构，所述微机电系统元件具有：第一绝缘膜，其被形成在所述硅膜上；第二孔，其被形成在所述第一绝缘膜上，并位于所述第一孔上；第二绝缘膜，其被形成在所述第一绝缘膜上，所述第一孔以及所述第二孔通过所述金属膜或所述金属硅化物而被填埋。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510053869.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
