[发明专利]微机电系统元件及其制造方法有效
| 申请号: | 201510053869.7 | 申请日: | 2015-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN104817052B | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
| 发明(设计)人: | 蝦名昭彦 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微机 系统 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种微机电系统元件,其中,
在至少由第一氮化硅膜和硅膜构成的空间中配置有微机电系统部,
所述硅膜具有第一孔,
所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋,
通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述第一氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构,
所述微机电系统元件具有:
第一绝缘膜,其被形成在所述硅膜上;
第二孔,其被形成在所述第一绝缘膜上,并位于所述第一孔上;
第二绝缘膜,其被形成在所述第一绝缘膜上,
所述第一孔以及所述第二孔通过所述金属膜或所述金属硅化物而被填埋。
2.如权利要求1所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部被配置于所述第一氮化硅膜上,
至少所述硅膜的一部分被配置于所述微机电系统部上方,并紧贴着所述第一氮化硅膜。
3.如权利要求1所述的微机电系统元件,其中,
绝缘膜具有被形成在所述硅膜上的第一绝缘膜、被形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜、被形成在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜。
4.如权利要求1所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部具有可动电极、第一电极以及第二电极。
5.一种微机电系统元件,其中,
在至少由第一氮化硅膜和硅膜构成的空间中配置有微机电系统部,
所述硅膜具有第一孔,
所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋,
通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述第一氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构,
所述硅膜具有环状的孔,
位于所述环状的孔的内侧的所述硅膜与所述微机电系统部电连接,
所述环状的孔通过第二氮化硅膜而被填埋。
6.如权利要求5所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部被配置于所述第一氮化硅膜上,
至少所述硅膜的一部分被配置于所述微机电系统部上方,并紧贴着所述第一氮化硅膜。
7.如权利要求5所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部具有可动电极、第一电极以及第二电极。
8.一种微机电系统元件,其中,
在至少由第一氮化硅膜和硅膜构成的空间中配置有微机电系统部,
所述硅膜具有第一孔,
所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋,
通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述第一氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构,
在通过所述第一氮化硅膜和硅膜而被覆盖的空间中配置有微机电系统部,所述微机电系统部具有第一电极,
所述硅膜具有第一环状的孔,
位于所述第一环状的孔的内侧的所述硅膜与所述第一电极电连接,
所述第一环状的孔通过第二氮化硅膜而被填埋。
9.如权利要求8所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部被配置于所述第一氮化硅膜上,
至少所述硅膜的一部分被配置于所述微机电系统部上方,并紧贴着所述第一氮化硅膜。
10.如权利要求8所述的微机电系统元件,其中,
具有:第一电极基座,其被配置于所述第一电极上,且被配置于位于所述第一环状的孔的内侧的所述硅膜下;
硅基座,其紧贴于所述第一氮化硅膜上,
所述微机电系统部被配置于所述第一氮化硅膜上,
所述硅基座位于所述微机电系统部的周围,
所述硅膜被配置于所述微机电系统部上方,且与所述硅基座紧贴。
11.如权利要求8所述的微机电系统元件,其中,
所述微机电系统部具有可动电极、第一电极以及第二电极。
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