[发明专利]一种TSV通孔的制备工艺有效
| 申请号： | 201510051265.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600027B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TSV通孔的制备工艺，该工艺可以防止TSV孔形成突起部分，并且可以使孔与晶圆背表面交界的部分生产缓坡，使后续绝缘层和光阻的分布均匀，避免了干法刻蚀对该边缘的损伤，其包括以下步骤（1）、在晶圆背表面沉积薄膜，（2）、曝光显影，显露出TSV通孔区域，（3）、对晶圆背表面对应TSV通孔区域的薄膜进行刻蚀处理，使其处于TSV通孔的部位先被腐蚀掉，（4）、对晶圆背进行干法刻蚀刻出TSV孔，去除光阻层，则TSV通孔制作完成，由于先沉积一层绝缘层，并将其刻蚀出一定区域，可以使TSV通孔的上开口边缘变得圆滑，消除了TSV开口处的undercut（底切）问题和应力集中问题，使后续TSV绝缘层沉积工艺和镀铜工艺变得简单，并且降低了TSV开口处绝缘层在后续干法刻蚀中的损伤风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种TSV通孔的制备工艺，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、在晶圆背表面沉积薄膜；（2）、曝光显影，显露出TSV通孔区域；（3）、对晶圆背表面对应TSV通孔区域的薄膜进行刻蚀处理，薄膜刻蚀范围大于所述TSV通孔区域范围，使其处于TSV通孔的部位先被腐蚀掉；（4）、对晶圆背进行干法刻蚀刻出TSV孔，去除光阻层，则TSV通孔制作完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
