[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201510045094.9 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321989B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 伊牧 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体元件。提供具有第一导电型的基底。基底具有第一区以及第二区。具有第二导电型的半导体层配置于基底的前侧。具有第一导电型的第一掺杂区配置于第一区的半导体层中，其中第一掺杂区的掺杂深度随着远离第二区而逐渐减少。具有第二导电型的至少一第二掺杂区配置于第一掺杂区中，其中至少一第二掺杂区的掺杂深度随着远离第二区而逐渐增加。介电层配置于半导体层上。第一导体层配置于介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：具有一第一导电型的一基底，具有一第一区以及一第二区；具有一第二导电型的一半导体层，配置于该基底的前侧；具有该第一导电型的一第一掺杂区，配置于该第一区的该半导体层中，其中该第一掺杂区的掺杂深度随着远离该第二区而逐渐减少；具有该第二导电型的至少一第二掺杂区，配置于该第一掺杂区中，其中该至少一第二掺杂区的掺杂深度随着远离该第二区而逐渐增加；一介电层，配置于该半导体层上；以及一第一导体层，配置于该介电层上。
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