[发明专利]MOS电容以及其制造方法有效
| 申请号： | 201510043980.8 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104659114B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈喜明;李诚瞻;颜骥;赵艳黎;高云斌;史晶晶;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一在基板上设置SiC外延层；步骤二在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三在氧隔离层上设置硅层；步骤四将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造MOS电容的方法，所述方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在所述SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在所述氧隔离层上设置硅层；硅层以外延生长的方式形成；步骤四：将所述硅层氧化成SiO2层。
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