[发明专利]MOS电容以及其制造方法有效
| 申请号： | 201510043980.8 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104659114B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈喜明;李诚瞻;颜骥;赵艳黎;高云斌;史晶晶;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 电容 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造MOS电容的方法，所述方法包括，
步骤一：在基板上设置SiC外延层；
步骤二：在所述SiC外延层上设置氧隔离层；
步骤三：在所述氧隔离层上设置硅层；硅层以外延生长的方式形成；
步骤四：将所述硅层氧化成SiO2层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧隔离层为氮氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层以化学气相沉积的方式形成。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为1-10nm。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述步骤四之后，还在所述SiO2层上方设置第一电极，所述基板包括第二电极和设置在所述第二电极上方的衬底，所述SiC外延层设置在衬底上方。
6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述衬底为SiC衬底。
7.一种MOS电容，其由根据权利要求1到6中任一项所述的方法制备而成，所述MOS电容包括：基板，设置在所述基板上的SiC外延层，和设置在所述SiC外延层上的栅介质层，
其中，所述栅介质层包括设置在所述SiC外延层上方的氧隔离层和设置在所述氧隔离层上的SiO2层，在使用所述MOS电容时，所述SiC外延层的与所述氧隔离层接触的区域形成反型沟道。
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