[发明专利]一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法有效
| 申请号： | 201510043357.2 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104637786B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 梅川奇;傅卓理;何贤安 | 申请（专利权）人： | 江西久顺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 334600 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路芯片加工技术领域，具体涉及一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤配制腐蚀液→清洗，采用本发明的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，反应速率快、时间短、效率高，可实现一次性清除IC片料中的氮化硅涂层，省时省力，降低了清洗成本，也避免了多次酸洗造成环境污染，经清洗后的IC片料表面润亮，能够满足大批量的清洗要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 ic 片料中 氮化 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤：配制腐蚀液→清洗，其特征在于：(1)配制腐蚀液：取55％浓度氢氟酸9.5‑10.5、70％浓度硝酸0.9‑1.1、85％浓度磷酸1.8‑2.2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗：将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(1)配制的腐蚀液中，反应时间1‑2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西久顺科技有限公司，未经江西久顺科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510043357.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
