[发明专利]一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法有效
| 申请号： | 201510043357.2 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104637786B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 梅川奇;傅卓理;何贤安 | 申请（专利权）人： | 江西久顺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 334600 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 ic 片料中 氮化 涂层 方法 | ||
1.一种去除IC片料中氮化硅涂层的方法，包括以下步骤：配制腐蚀液→清洗，其特征在于：
(1)配制腐蚀液：取55％浓度氢氟酸9.5-10.5、70％浓度硝酸0.9-1.1、85％浓度磷酸1.8-2.2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗：将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(1)配制的腐蚀液中，反应时间1-2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
2.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于：
(1)配制腐蚀液：取55％浓度氢氟酸9.5、70％浓度硝酸0.9、85％浓度磷酸1.8，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗：将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(1)配制的腐蚀液中，反应时间1min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
3.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于：
(1)配制腐蚀液：取55％浓度氢氟酸10、70％浓度硝酸1、85％浓度磷酸2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗：将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(1)配制的腐蚀液中，反应时间1.5min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
4.根据权利要求1所述的去除IC片料中氮化硅涂层的方法，其特征在于：
(1)配制腐蚀液：取55％浓度氢氟酸10.5、70％浓度硝酸1.1、85％浓度磷酸2.2，置于清洗槽，现配现用；(2)清洗：将待去除氮化硅涂层的IC片料置于清洗槽内的步骤(1)配制的腐蚀液中，反应时间2min，IC片料表面呈灰暗色时，出料冲洗干净，转入下道氢氧化钠碱洗工序。
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