[发明专利]用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备有效

专利信息
申请号: 201510035958.9 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104809262B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 袁磊;M·拉希德;桂宗郁 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备,揭露一种用于经修改单元构造以及所产生元件的方法。实施例可包括决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,每一个第一路径具有第一宽度,决定IC设计中第二路径的第二垂直轨道间距,第二路径具有第二宽度,以及基于第一及第二垂直轨道间距,指定IC设计中单元垂直尺寸。
搜索关键词: 用于 修改 单元 构造 以及 产生 元件 方法 设备
【主权项】:
一种计算机实现的方法,包括下列步骤:决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,该多个第一路径的每一个具有第一宽度;决定该集成电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距,该第二路径具有第二宽度;基于双图案工艺的最小金属宽度,决定该第一宽度;基于该双图案工艺的最小第二金属(M2)节距,决定该第一垂直轨道间距;以及基于该第一及第二垂直轨道间距,指定该集成电路设计中的单元垂直尺寸,其中,该单元垂直尺寸不等于该最小第二金属节距的整数倍数,以及所述步骤由至少一处理器执行。
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