[发明专利]用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备有效
申请号: | 201510035958.9 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104809262B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 袁磊;M·拉希德;桂宗郁 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备,揭露一种用于经修改单元构造以及所产生元件的方法。实施例可包括决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,每一个第一路径具有第一宽度,决定IC设计中第二路径的第二垂直轨道间距,第二路径具有第二宽度,以及基于第一及第二垂直轨道间距,指定IC设计中单元垂直尺寸。 | ||
搜索关键词: | 用于 修改 单元 构造 以及 产生 元件 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种计算机实现的方法,包括下列步骤:决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,该多个第一路径的每一个具有第一宽度;决定该集成电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距,该第二路径具有第二宽度;基于双图案工艺的最小金属宽度,决定该第一宽度;基于该双图案工艺的最小第二金属(M2)节距,决定该第一垂直轨道间距;以及基于该第一及第二垂直轨道间距,指定该集成电路设计中的单元垂直尺寸,其中,该单元垂直尺寸不等于该最小第二金属节距的整数倍数,以及所述步骤由至少一处理器执行。
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