[发明专利]用于经修改单元构造以及所产生元件的方法与设备有效

专利信息
申请号: 201510035958.9 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104809262B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 袁磊;M·拉希德;桂宗郁 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 修改 单元 构造 以及 产生 元件 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种计算机实现的方法,包括下列步骤:

决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,该多个第一路径的每一个具有第一宽度;

决定该集成电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距,该第二路径具有第二宽度;

基于双图案工艺的最小金属宽度,决定该第一宽度;

基于该双图案工艺的最小第二金属(M2)节距,决定该第一垂直轨道间距;以及

基于该第一及第二垂直轨道间距,指定该集成电路设计中的单元垂直尺寸,

其中,该单元垂直尺寸不等于该最小第二金属节距的整数倍数,以及

所述步骤由至少一处理器执行。

2.根据权利要求1所述的方法,更包括:

起始水平延伸于该单元中该多个第一路径的摆置,且各以该第一垂直轨道间距放置在该单元的多个相等间隔的垂直轨道位置的其中一个上。

3.根据权利要求2所述的方法,更包括:

起始水平延伸于该单元中该第二路径的摆置,且放置在该单元的上端或下端垂直轨道位置上。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,该上端或下端垂直轨道位置藉由该第二垂直轨道间距从该多个相等间隔的垂直轨道位置被隔开,且其中,该第二路径与该多个第一路径中相邻的第一路径之间的分离距离相等于该多个第一路径中两相邻的第一路径之间的分离距离。

5.根据权利要求1所述的方法,更包括:

基于电迁移(EM)以及IR压降效应,决定该第二宽度;以及

指定该第二路径为该集成电路设计中的电源或接地轨。

6.根据权利要求1所述的方法,更包括:

指定该集成电路设计中的多个单元,所述单元的每一个具有经指定的该单元垂直尺寸,并包括:

该多个第一路径水平延伸,且各以该第一垂直轨道间距放置在该单元的多个相等间隔的垂直轨道位置的其中一个上;以及

该第二路径水平延伸,且放置在该单元的上端或下端垂直轨道位置上。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述单元中至少一个包括具有该第二宽度的该第二路径,该第二路径水平延伸于该单元中,且放置在该集成电路设计的该上端或下端垂直轨道位置上。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述单元中的该至少一个更包括:

具有该第二宽度的第三路径,该第三路径水平延伸于该集成电路设计中,且放置在该集成电路设计的该上端或下端垂直轨道位置上,

其中,该第二及第三路径位于该单元的相对边界。

9.一种用于单元构造的设备,该设备包括:

至少一处理器;以及

至少一存储器,包括用于一个或多个程式的计算机程式码,

该至少一存储器以及该计算机程式码以该至少一处理器组构成致使该设备执行至少以下列:

决定用于集成电路(IC)设计中多个第一路径的第一垂直轨道间距,该多个第一路径的每一个具有第一宽度;

决定该集成电路设计中第二路径的第二垂直轨道间距,该第二路径具有第二宽度;

基于双图案工艺的最小金属宽度,决定该第一宽度;

基于该双图案工艺的最小第二金属(M2)节距,决定该第一垂直轨道间距;以及

基于该第一及第二垂直轨道间距,指定该集成电路设计中的单元垂直尺寸,

其中,该单元垂直尺寸不等于该最小第二金属节距的整数倍数。

10.根据权利要求9所述的设备,其中,更致使该设备:

起始水平延伸于该单元中该多个第一路径的摆置,且各以该第一垂直轨道间距放置在该单元的多个相等间隔的垂直轨道位置的其中一个上。

11.根据权利要求10所述的设备,其中,更致使该设备:

起始水平延伸于该单元中该第二路径的摆置,且放置在该单元的上端或下端垂直轨道位置。

12.根据权利要求11所述的设备,其中,该上端或下端垂直轨道位置藉由该第二垂直轨道间距从该多个相等间隔的垂直轨道位置被隔开,且其中,该第二路径与该多个第一路径中相邻的第一路径之间的分离距离相等于该多个第一路径中两相邻的第一路径之间的分离距离。

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