[发明专利]一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极有效
| 申请号： | 201510031692.0 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104532202B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 欧修龙;何峻;夏振军;赵栋梁 | 申请（专利权）人： | 钢铁研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙)11248 | 代理人： | 张小娟 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁控溅射镀膜生产设备技术领域，具体涉及一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极，该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6)，其中，阴极体外壳(1)为中空的圆筒形，圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3)，阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4)，内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6)；阴极体外壳(1)上表面为靶材(2)，下表面为基座(5)；内磁体(4)和外磁体(3)有1～10mm的高度差。本发明通过优化磁控溅射靶阴极结构的方法来提高靶材利用率，结构简单，可操作性强，性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 真空 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】：
一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极，溅射时工作气压为0.1～102Pa量级，其特征在于：该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6)；其中，阴极体外壳(1)为中空的圆筒形，圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3)，阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4)，内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6)；阴极体外壳(1)上表面为靶材(2)，下表面为基座(5)；所述外磁体(3)为多个环绕着冷却通道(6)的圆柱形单体，每个单体表面中心位置磁场范围在300～500mT；所述内磁体(4)为圆柱形，内磁体(4)和外磁体(3)之间有1～10mm的高度差；内磁体(4)表面中心位置磁场范围在400～600mT。
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