[发明专利]一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极

权利要求书

1.一种用于中低真空的磁控溅射靶阴极，溅射时工作气压为0.1～10²Pa量级，其特征在于：

该磁控溅射靶阴极包括阴极体外壳(1)、靶材(2)、外磁体(3)、内磁体(4)、基座(5)和冷却通道(6)；

其中，阴极体外壳(1)为中空的圆筒形，圆筒侧壁镶嵌有外磁体(3)，阴极体外壳(1)中心设置内磁体(4)，内磁体(4)与阴极体外壳(1)之间为冷却通道(6)；阴极体外壳(1)上表面为靶材(2)，下表面为基座(5)；

所述外磁体(3)为多个环绕着冷却通道(6)的圆柱形单体，每个单体表面中心位置磁场范围在300～500mT；

所述内磁体(4)为圆柱形，内磁体(4)和外磁体(3)之间有1～10mm的高度差；内磁体(4)表面中心位置磁场范围在400～600mT。

2.如权利要求1所述的用于中低真空的磁控溅射靶阴极，其特征在于：

阴极体外壳(1)的圆筒壁上、沿圆周方向设有多个均匀分布的孔，孔的直径与外磁体(3)匹配。

3.如权利要求1所述的用于中低真空的磁控溅射靶阴极，其特征在于：

所述阴极体外壳(1)采用无氧铜或紫铜一体加工。

4.如权利要求1所述的用于中低真空的磁控溅射靶阴极，其特征在于：

所述靶材(2)为圆形靶材，厚度为0.5～5mm。

5.如权利要求1所述的用于中低真空的磁控溅射靶阴极，其特征在于：

所述外磁体(3)采用钕铁硼或铝镍钴烧结合金制成。

6.如权利要求1所述的用于中低真空的磁控溅射靶阴极，其特征在于：

所述内磁体(4)采用钕铁硼或铝镍钴烧结合金制成。