[发明专利]一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201510030906.2 申请日: 2015-01-21
公开(公告)号: CN104658763B 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 樊海明;余宝智;任兆玉 申请(专利权)人: 西北大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所61216 代理人: 李婷
地址: 710069 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法,每个树枝状二氧化锰阵列单元在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干;枝干轴向与主干轴向之间的夹角范围为57°~62°。采用两步水热法合成;第一步水热法过程中采用单抛硅片作为基底来一次生长纳米阵列;第二步水热法过程中采用生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片作为基底来二次生长纳米阵列;在二次生长时将生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片抛光面向下放置;在二次生长时所述的生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片为三片;在二次生长时原料的浓度低于一次生长时原料的浓度。
搜索关键词: 一种 二氧化锰 树枝 纳米 阵列 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料,其特征在于:所述的二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料由多个树枝状二氧化锰阵列单元组成,所述的每个树枝状二氧化锰阵列单元包括一个单晶二氧化锰方形纳米管主干,在单晶二氧化锰方形纳米管主干上生长有单晶二氧化锰方形纳米管枝干;所述的二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料由多个树枝状二氧化锰阵列单元组成,所述的每个树枝状二氧化锰阵列单元包括一个单晶二氧化锰方形纳米管主干,在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干,主干与枝干之间为共格生长关系;所述的单晶二氧化锰方形纳米管枝干轴向与单晶二氧化锰方形纳米管主干轴向之间的夹角范围为57°~62°;所述的单晶二氧化锰方形纳米管枝干轴向沿单晶二氧化锰方形纳米管主干轴向有序排列,且主干与枝干轴向之间的夹角在夹角范围57°~62°内呈正态分布,均值为59°。
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