[发明专利]基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法。该探测器包括依次形成于衬底正面的缓冲层、倍增层、渐变、电荷层、吸收层和接触层，且衬底背面还设有ITO电流扩展层；该制备方法包括在衬底正面生长外延结构层；在外延结构层中的吸收层上设置掩膜层，并在掩膜层上加工出开口，并藉此开口进行Zn扩散，从而在吸收层表层的局部区域形成接触层；在未进行Zn扩散的吸收层表面区域设置钝化层，并在接触层上淀积电极；以及，在衬底背面形成电流扩展层和在电流扩展层外围制作金属电极。本发明探测器具有高工作速度、分辨率和响应度等特点，可以更高效地应用于光电子信息通信等领域，同时制备工艺简单易实施，成本低廉，适于规模化生产。

主权项

一种基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器，其特征在于包括依次形成于衬底正面上的缓冲层、倍增层、渐变层、电荷层、吸收层和接触层，且所述衬底背面还设有ITO电流扩展层；所述倍增层的材质选自本征In0.52Al0.48As材料，所述渐变层的材质选自In0.78Ga0.22As0.47P0.53材料，所述电荷层的材质选自n型重掺杂In0.53Ga0.47As材料，所述吸收层的材质选自本征In0.53Ga0.47As材料，所述接触层选自由Zn在所述吸收层扩散形成的p型In0.53Ga0.47As接触层。