[发明专利]基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510030904.3 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104617181B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吴渊渊;陆书龙;季莲;谭明;代盼;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ito 电流 扩展 ingaas 雪崩 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器，其特征在于包括依次形成于衬底正面上的缓冲层、倍增层、渐变层、电荷层、吸收层和接触层，且所述衬底背面还设有ITO电流扩展层；所述倍增层的材质选自本征In0.52Al0.48As材料，所述渐变层的材质选自In0.78Ga0.22As0.47P0.53材料，所述电荷层的材质选自n型重掺杂In0.53Ga0.47As材料，所述吸收层的材质选自本征In0.53Ga0.47As材料，所述接触层选自由Zn在所述吸收层扩散形成的p型In0.53Ga0.47As接触层。
2.根据权利要求1所述的基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器，其特征在于，所述衬底至少选自n型InP衬底。
3.根据权利要求2所述的基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器，其特征在于，所述衬底背面还设有与所述ITO电流扩展层电性接触的电极，并且在电极之间形成有光入射窗口。
4.根据权利要求1所述的基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器，其特征在于，所述红外探测器具有平面性器件结构。
5.权利要求1-4中任一项所述基于ITO电流扩展层的InGaAs雪崩红外探测器的制备方法，其特征在于包括：
在衬底正面依次生长缓冲层、倍增层、渐变层、电荷层和吸收层，其中吸收层采用i-In0.53Ga0.47As吸收层；
在吸收层上设置掩膜层，并在掩膜层上加工出开口，并藉此开口进行Zn扩散，从而在吸收层表层的局部区域形成p型In0.53Ga0.47As接触层；
在未进行Zn扩散的吸收层表面区域设置钝化层，并在p型In0.53Ga0.47As接触层上淀积金属电极；
在衬底背面形成ITO电流扩展层以及在ITO电流扩展层外围制作金属电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
