[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法。本发明的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。其制备方法采用正性光致抗蚀剂经光刻在注入阻挡层介质膜表面形成掩膜图形，再利用正负倾角薄膜蒸发工艺在注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端生长牺牲介质膜，用于高能离子注入。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。

主权项

一种用于碲镉汞的注入能量300KeV以上的高能离子注入复合掩膜的制备方法，所述的复合掩膜的结构为：复合掩膜底层为注入阻挡层(1)，中部为具有掩膜图形的光致抗蚀剂掩膜层(2)，上层为牺牲介质层(3)；其特征在于：复合掩膜的制备方法包括步骤如下：1)将已沉积注入阻挡层(1)的芯片清洗干净并烘干，在芯片表面旋转涂覆一层正性光致抗蚀剂，用光刻掩膜版对芯片进行曝光显影及后烘坚膜，制备出具有掩膜图形的光致抗蚀剂掩膜层(2)；2)将已经制备好光致抗蚀剂掩膜层(2)的芯片装载在样品台上，首先以0°倾角旋转样品台，沉积总厚度20％～80％的牺牲介质膜；再以﹢20°～﹢50°倾角旋转样品台，沉积总厚度10％～40％的牺牲介质膜；最后以﹣20°～﹣50°倾角旋转样品台，沉积总厚度10％～40％的牺牲介质膜；最终获得厚度为20～200nm的牺牲介质层(3)，牺牲介质层(3)完全覆盖注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端。