[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于碲镉汞的注入能量300KeV以上的高能离子注入复合掩膜的制备方法，所述的复合掩膜的结构为：复合掩膜底层为注入阻挡层(1)，中部为具有掩膜图形的光致抗蚀剂掩膜层(2)，上层为牺牲介质层(3)；其特征在于：复合掩膜的制备方法包括步骤如下：

1)将已沉积注入阻挡层(1)的芯片清洗干净并烘干，在芯片表面旋转涂覆一层正性光致抗蚀剂，用光刻掩膜版对芯片进行曝光显影及后烘坚膜，制备出具有掩膜图形的光致抗蚀剂掩膜层(2)；

2)将已经制备好光致抗蚀剂掩膜层(2)的芯片装载在样品台上，首先以0°倾角旋转样品台，沉积总厚度20％～80％的牺牲介质膜；再以﹢20°～﹢50°倾角旋转样品台，沉积总厚度10％～40％的牺牲介质膜；最后以﹣20°～﹣50°倾角旋转样品台，沉积总厚度10％～40％的牺牲介质膜；最终获得厚度为20～200nm的牺牲介质层(3)，牺牲介质层(3)完全覆盖注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端。