[发明专利]控制多指型半导体器件参数波动的制造方法

摘要

本发明公开了一种控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，包括步骤步骤一、提供一硅衬底，在器件区形成多个多指型半导体器件。步骤二、对各多指型半导体器件的参数进行预估并得到预估值。步骤三、进行正面金属层后形成各多指型半导体器件的电极金属指，各电极金属指的数目根据步骤二中的预估值调整。本发明能够将多指型半导体器件参数控制在工艺要求范围内，提升产品的可生产性。

主权项

一种控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的器件区形成多个多指型半导体器件，各所述多指型半导体器件都为由多个半导体器件单元结构组成的多指结构，每个所述半导体器件单元结构的第一掺杂区和第二掺杂区都为指状结构，同一所述多指型半导体器件的各所述半导体器件单元结构的第一掺杂区和第二掺杂区交叉排列；步骤二、对各所述多指型半导体器件的参数进行预估并得到预估值；采用如下分步骤实现对各所述多指型半导体器件的参数进行预估：步骤21、在划片槽区形成和各JFET器件对应的第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的掺杂类型和各源区指以及各漏区指的掺杂类型相同，各所述第一重掺杂区和对应的所述JFET器件的各源区指都相连，各所述第二重掺杂区和对应的所述JFET器件的各漏区指都相连；步骤22、在所述硅衬底上形成层间膜后，进行接触孔刻蚀将各所述JFET器件对应的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区顶部的层间膜打开；步骤23、通过对各所述JFET器件的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区进行扎硅测试得到各所述JFET器件的预估值；步骤三、进行正面金属层后，采用金属层光罩对所述正面金属层进行刻蚀形成各所述多指型半导体器件的电极金属指，各所述多指型半导体器件的电极金属指用于和对应的所述第一掺杂区和所属第二掺杂区的指状结构相连，各所述多指型半导体器件的电极金属指的数目根据步骤二中的预估值调整，使形成所述电极金属指后的各所述多指型半导体器件的参数达到工艺要求值。