[发明专利]控制多指型半导体器件参数波动的制造方法

权利要求书

1.一种控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的器件区形成多个多指型半导体器件，各所述多指型半导体器件都为由多个半导体器件单元结构组成的多指结构，每个所述半导体器件单元结构的第一掺杂区和第二掺杂区都为指状结构，同一所述多指型半导体器件的各所述半导体器件单元结构的第一掺杂区和第二掺杂区交叉排列；

步骤二、对各所述多指型半导体器件的参数进行预估并得到预估值；

采用如下分步骤实现对各所述多指型半导体器件的参数进行预估：

步骤21、在划片槽区形成和各JFET器件对应的第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的掺杂类型和各源区指以及各漏区指的掺杂类型相同，各所述第一重掺杂区和对应的所述JFET器件的各源区指都相连，各所述第二重掺杂区和对应的所述JFET器件的各漏区指都相连；

步骤22、在所述硅衬底上形成层间膜后，进行接触孔刻蚀将各所述JFET器件对应的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区顶部的层间膜打开；

步骤23、通过对各所述JFET器件的所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区进行扎硅测试得到各所述JFET器件的预估值；

步骤三、进行正面金属层后，采用金属层光罩对所述正面金属层进行刻蚀形成各所述多指型半导体器件的电极金属指，各所述多指型半导体器件的电极金属指用于和对应的所述第一掺杂区和所属第二掺杂区的指状结构相连，各所述多指型半导体器件的电极金属指的数目根据步骤二中的预估值调整，使形成所述电极金属指后的各所述多指型半导体器件的参数达到工艺要求值。

2.如权利要求1所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：所述多指型半导体器件为JFET器件，步骤一中形成的所述JFET器件都为由多个JFET单元结构组成的多指结构，每一个JFET单元结构的源区、漏区和栅区都呈条形的指状结构，所述JFET单元结构的源区对应于所述第一掺杂区，所述JFET单元结构的漏区对应于所述第二掺杂区；令各所述JFET单元结构的源区为源区指、各所述JFET单元结构的漏区为漏区指、各所述JFET单元结构的栅区为栅区指，所述栅区指为第一导电类型掺杂，所述源区指和所述漏区指都为第二导电类型掺杂且位于所述栅区指两侧；同一个所述JFET器件中各所述源区指和各所述漏区指交替排列，两个相邻的所述源区指和所述漏区指之间间隔有一个所述栅区指，由两个相邻的所述源区指和所述漏区指和之间的所述栅区指组成一个所述JFET单元结构；每一个所述JFET器件的源区指数等于漏区指数。

3.如权利要求1所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：步骤23中扎硅测试得到为各所述JFET器件的漏极工作电流的预估值。

4.如权利要求3所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：步骤三中形成的所述电极金属指包括源极金属指和漏极金属指，各所述JFET器件的源极金属指引出对应的源区指、漏极金属指引出对应的漏区指；各所述JFET器件的源极金属指和漏极金属指的数目根据步骤23中测得的漏极工作电流预估值确定，当步骤23中测得的漏极工作电流大于工艺要求的最大值时，通过减少对应的所述JFET器件的源极金属指和漏极金属指的数目来使所述JFET器件的漏极工作电流减少到工艺要求的最大值以下。

5.如权利要求2所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：不同所述JFET器件的源区指数都相同。

6.如权利要求2所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述器件区形成多个JFET器件包括如下分步骤：

步骤11、在所述硅衬底上形成第一导电类型阱；

步骤12、在所述第一导电类型阱表面形成第二导电类型阱；

步骤13、在所述第二导电类型阱的选定区域中形成各所述JFET器件的源区指、漏区指和栅区指，对于各所述JFET器件的每一个JFET单元结构，所述栅区指和所述第一导电类型阱所夹区域的所述第二导电类型阱组成沟道区。

7.如权利要求6所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：通过提高步骤12中所形成的所述第二导电类型阱的掺杂浓度提高各所述JFET器件的漏极工作电流，使得步骤23测试得到的各所述JFET器件的漏极工作电流都大于等于工艺要求的最低值要求。

8.如权利要求2所述的控制多指型半导体器件参数波动的制造方法，其特征在于：各所述JFET器件为N型JFET器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者，各所述JFET器件为P型JFET器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。