[发明专利]一种高阻尼形状记忆合金的应用

摘要

本发明公开了一种高阻尼形状记忆合金的应用，该形状记忆合金的化学式为Ni_55-xFe_xMn₂₀Ga₂₅。按照Ni_55-xFe_xMn₂₀Ga₂₅的化学计量比，将Ni、Fe、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，抽真空后充入氩气，熔炼最终的铸锭经高温固溶处理后淬火至室温，得到了形状记忆合金。对Ni_55-xFe_xMn₂₀Ga₂₅形状记忆合金体系的阻尼测试表明，合金样品具有高阻尼平台(Q^-1≥0.05)。当x＝0时，得到了宽温度区间150K-340K的高阻尼合金；当0<x≤2时，由于Fe掺杂导致中间马氏体相变的出现，使掺杂合金在较宽的温度范围215K-275K内具备大磁控阻尼效应，即其阻尼值随磁场增大而增加。

主权项

一种高阻尼形状记忆合金用于制备阻尼器件的应用，所述高阻尼形状记忆合金的化学式为Ni_55‑xFe_xMn₂₀Ga₂₅，其中，0≤x≤2。