[发明专利]一种高阻尼形状记忆合金的应用在审
| 申请号： | 201510023890.2 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104630562A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王宇;廖晓奇;黄崇辉;杨森;宋晓平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22C1/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阻尼 形状 记忆 合金 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种高阻尼形状记忆合金用于制备阻尼器件的应用，所述高阻尼形状记忆合金的化学式为Ni55-xFexMn20Ga25，其中，0≤x≤2。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，0＜x≤2。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，0.5＜x≤2。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，0＜x≤2，所述阻尼器件为磁控阻尼器件。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述高阻尼形状记忆合金的制备方法包括以下步骤：按照Ni55-xFexMn20Ga25(0≤x≤2)的化学计量比，将Ni、Fe、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，抽真空后充入氩气进行熔炼，在电流为90-150A条件下熔炼得到铸锭，再将铸锭反复熔炼后进行高温固溶处理并淬火至室温，得到磁控高阻尼形状记忆合金。
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