[发明专利]一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺

摘要

本发明涉及半导体器件的芯片钝化保护技术领域，特别涉及一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺。这种工艺是采用改造的电泳架，把硅片直接放在阳极金属半环内作为阳极板，两边放置阴极板进行电泳，这样硅片两面台面沟槽与阴极板距离相等，电场分布对称，可以形成厚度相等的玻璃层；使用适当的电泳溶液配比及湿氧氛围的玻璃烧成工艺，可以提高双面玻璃钝化层的一致性，使玻璃造型完整、均一，同时可以提高产品良率及可靠性，增强器件的抗浪涌能力以及可以提高生产效率。

主权项

一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)、双面光刻：对扩散氧化后的硅片进行双面涂胶、双面曝光、显影工艺，形成台面图形；2)、双面台面腐蚀：使用硝酸、氢氟酸、冰乙酸，按照5:3.3:1的比例腐蚀双面台面沟槽，混酸温度控制在‑8～‑12℃，并用去离子水冲净；3)、双面电泳：a)、电泳液配置：将丙酮、玻璃粉、硝酸按如下比例配制成电泳液：丙酮：90％～98％，玻璃粉：1.5％～5％，硝酸：0.001％～0.1％；b)、将配置好的电泳液倒入电泳专用石英方杯，并进行超声10～15min；c)、改造电泳架：改造后的电泳架包括位于底部的底托板，底托板的两侧分别设置有侧板，底托板上间隔排列设置有负极板和正极半环，负极板和正极半环之间等距间隔排列，两侧板之间设置有限位器，其中一个侧板上设置有电源接头；台面沟槽腐蚀清洗后的硅片放在正极半环内；d)、把装有硅片的电泳架放入超声好的电泳液中，接好电源进行双面电泳，电压为240～280V，根据玻璃粉增重量，设定时间开始电泳；4)、烧成：将电泳后的硅片摆放在石英舟上，放入烧成炉中在800℃下进行湿氧玻璃固化，时间为20～30min。