[发明专利]一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺有效
申请号: | 201510021913.6 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN104599963B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 丛培金;范玉丰;丛济洲 | 申请(专利权)人: | 苏州启澜功率电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311 |
代理公司: | 张家港市高松专利事务所(普通合伙)32209 | 代理人: | 陈晓岷 |
地址: | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 台面 芯片 双面 电泳 玻璃 钝化 工艺 | ||
1.一种台面芯片双面电泳玻璃钝化工艺,其特征在于:包括如下步骤:
1)、双面光刻:对扩散氧化后的硅片进行双面涂胶、双面曝光、显影工艺,形成台面图形;
2)、双面台面腐蚀:使用硝酸、氢氟酸、冰乙酸,按照5:3.3:1的比例腐蚀双面台面沟槽,混酸温度控制在-8~-12℃,并用去离子水冲净;
3)、双面电泳:
a)、电泳液配置:将丙酮、玻璃粉、硝酸按如下比例配制成电泳液:丙酮:90%~98%,玻璃粉:1.5%~5%,硝酸:0.001%~0.1%;
b)、将配置好的电泳液倒入电泳专用石英方杯,并进行超声10~15min;
c)、改造电泳架:改造后的电泳架包括位于底部的底托板,底托板的两侧分别设置有侧板,底托板上间隔排列设置有负极板和正极半环,负极板和正极半环之间等距间隔排列,两侧板之间设置有限位器,其中一个侧板上设置有电源接头;台面沟槽腐蚀清洗后的硅片放在正极半环内;
d)、把装有硅片的电泳架放入超声好的电泳液中,接好电源进行双面电泳,电压为240~280V,根据玻璃粉增重量,设定时间开始电泳;
4)、烧成:将电泳后的硅片摆放在石英舟上,放入烧成炉中在800℃下进行湿氧玻璃固化,时间为20~30min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造