[发明专利]用于FINFET技术的基于虚拟端栅极的抗熔丝器件有效
| 申请号： | 201510019184.0 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779237B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 肖姆·苏伦德兰·波诺斯;伊藤明;朴昌郁 | 申请（专利权）人： | 安华高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开了用于鳍型场效应晶体管(finFET)技术的抗熔丝器件，该器件包含虚拟栅极，导电触点，以及扩散触点。虚拟栅极形成在鳍片的端角之上。所述导电触点设置在所述虚拟栅极的一部分上并且可用作所述器件的第一电极。所述扩散触点设置在所述鳍片之上并且可用作所述器件的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 技术 基于 虚拟 栅极 抗熔丝 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件，所述器件包括：虚拟栅极，形成在鳍片的端角之上；导电触点，设置在所述虚拟栅极的一部分上并且配置为用作所述器件的第一电极；以及扩散触点，设置在所述鳍片之上并且配置为用作所述器件的第二电极；其中，所述扩散触点在形成于所述鳍片上的外延层上形成，所述虚拟栅极部分地延伸到所述鳍片的所述端角之外，且所述鳍片是已经制作好的鳍型场效应晶体管的鳍片。
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