[发明专利]用于FINFET技术的基于虚拟端栅极的抗熔丝器件

权利要求书

1.一种用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件，所述器件包括：

虚拟栅极，形成在鳍片的端角之上；

导电触点，设置在所述虚拟栅极的一部分上并且配置为用作所述器件的第一电极；以及

扩散触点，设置在所述鳍片之上并且配置为用作所述器件的第二电极；

其中，所述扩散触点在形成于所述鳍片上的外延层上形成，所述虚拟栅极部分地延伸到所述鳍片的所述端角之外，且所述鳍片是已经制作好的鳍型场效应晶体管的鳍片。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述虚拟栅极通过具有0.5nm的厚度的薄氧化物层与所述鳍片分离，其中，所述薄氧化物层包括二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述薄氧化物层被配置为当在所述器件的所述第一电极和所述第二电极之间施加合适的电压以对所述器件进行编程时，在靠近所述端角的至少一个点击穿。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述虚拟栅极通过具有2nm到4nm的厚度的厚氧化物层与所述鳍片分离，其中，所述厚氧化物层包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，有两个虚拟栅极形成在所述鳍片的所述端角之上，所述两个虚拟栅极中的第一个虚拟栅极通过具有0.5nm的厚度的薄氧化物层与所述鳍片分离，且所述两个虚拟栅极中的第二个虚拟栅极通过具有2nm到4nm的厚度的厚氧化物层与所述鳍片分离。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，有两个虚拟栅极形成在所述鳍片的所述端角之上，所述两个虚拟栅极中的至少一个通过分割式氧化物层与所述鳍片分离，并且其中，所述分割式氧化物层包括具有0.5nm的厚度的薄氧化物层部分和具有2nm到4nm的厚度的厚氧化物层部分。

7.一种提供用于鳍型场效应晶体管技术的抗熔丝器件的方法，所述方法包括：

在鳍片的端角之上形成虚拟栅极；

在所述虚拟栅极的一部分上设置导电触点并且将所述导电触点配置为用作所述抗熔丝器件的第一电极；以及

在形成于所述鳍片上的外延层上设置扩散触点并且将所述扩散触点配置为用作所述抗熔丝器件的第二电极；

其中，所述形成虚拟栅极包括形成所述虚拟栅极使得所述虚拟栅极部分地延伸到所述鳍片的所述端角之外，并且其中所述鳍片是已经制作好的鳍型场效应晶体管的鳍片。

8.一种通信装置，包括：

存储器件，所述存储器件包括：

一次性可编程存储器，所述一次性可编程存储器包含与鳍型场效应晶体管技术兼容的抗熔丝器件，所述抗熔丝器件包括：

虚拟栅极，形成在鳍片的端角之上；

导电触点，设置在所述虚拟栅极的一部分上并且配置为用作所述抗熔丝器件的第一电极；以及

扩散触点，设置在形成于所述鳍片上的外延层上并且配置为用作所述抗熔丝器件的第二电极；

其中，所述虚拟栅极部分地延伸到所述鳍片的所述端角之外，并且其中所述鳍片是已经制作好的鳍型场效应晶体管的鳍片。

9.根据权利要求8所述的通信装置，其中，所述虚拟栅极通过具有0.5nm的厚度的薄氧化物层与所述鳍片分离，其中，所述薄氧化物层包括二氧化硅，并且其中，所述薄氧化物层被配置为当在所述抗熔丝器件的所述第一电极和所述第二电极之间施加合适的电压以对所述抗熔丝器件进行编程时在靠近所述端角的至少一个点击穿。