[发明专利]氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510017329.3 申请日: 2015-01-13
公开(公告)号: CN104617202A 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 郭金霞;王良臣;梁萌;王莉;黄亚军;伊晓燕;刘志强 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法,其中氮化镓基发光器件,包括:一透明衬底;一第一半导体层,一有源层和一第二半导体层,所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反;一P型接触层,位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面,其为的金属氧化物导电薄膜;一Ag或Al的反射镜,位于p型接触层上,所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触;一P电极焊盘,在Ag或Al的反射镜上,由多层金属组成,多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。本发明可以增加透射率,提高发光器件的发光效率。
搜索关键词: 氮化 发光 器件 电极 体系 及其 制作方法
【主权项】:
一种氮化镓基发光器件,包括:一透明衬底;一第一半导体层,一有源层和一第二半导体层,所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反;一P型接触层,位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面,其为的金属氧化物导电薄膜;一Ag或Al的反射镜,位于p型接触层上,所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触;一P电极焊盘,在Ag或Al的反射镜上,由多层金属组成,多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。
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