[发明专利]氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光器件，包括：

一透明衬底；

一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；

一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为的金属氧化物导电薄膜；

一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；

一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。

2.如权利要求1所述的氮化镓基发光器件，其中所述金属氧化物导电薄膜为ITO或掺杂ZnO。

3.如权利要求1所述的氮化镓基发光器件，其中调整所述反射镜、扩散阻挡层和焊接层的厚度和生长温度，以减小多层导电薄膜中的应力。

4.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括：

一透明衬底；

一第一半导体层，有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；

一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为的金属氧化物导电薄膜；

一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；

一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层；

一n型金属电极，位于暴露出的电子为多数载流子的第一或第二半导体层上；

所述n型金属电极部分覆盖p电极焊盘，在n型金属电极与部分覆盖的p电极焊盘之间形成由不同碳原子排列结构的多晶或单晶组成的隔离介质层。

5.如权利要求5所述的氮化镓基发光二极管芯片，其中所述的隔离介质层的电阻率在10¹²Ωcm至10¹⁶Ωcm之间。

6.如权利要求4所述的氮化镓基发光二极管芯片，其中所述金属氧化物导电薄膜为ITO或掺杂ZnO。

7.一种氮化镓基发光器件的制作方法，其包含如下步骤：

一透明衬底；

在透明衬底上形成第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；

在空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面形成p型接触层，其为的金属氧化物导电薄膜；

在p型接触层上形成Ag或Al的反射镜，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；

在Ag或Al的反射镜上形成p电极焊盘，所述p电极焊盘由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。

8.如权利要求7所述的氮化镓基发光器件的制作方法，其中所述金属氧化物导电薄膜为IT0或掺杂Zn0。

9.如权利要求7所述的氮化镓基发光器件的制作方法，其中调整所述反射镜、扩散阻挡层和焊接层的厚度和生长温度，以减小多层导电薄膜中的应力。

10.一种氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其包括如下步骤：

一透明衬底；

在透明衬底上形成第一半导体层，有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；

在空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面形成p型接触层，其为的金属氧化物导电薄膜；

在p型接触层上形成Ag或Al的反射镜，，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；

在Ag或Al的反射镜上形成p电极焊盘，所述p电极焊盘由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层；

在暴露出的电子为多数载流子的第一或第二半导体层上形成n金属电极；

所述n型金属电极部分覆盖p电极焊盘，在n型金属电极与部分覆盖的p电极焊盘之间形成由不同碳原子排列结构的多晶或单晶组成的隔离介质层。

11.如权利要求10所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其中所述的隔离介质层的电阻率在1012Ωcm至1016Ωcm之间。

12.如权利要求10所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其中所述金属氧化物导电薄膜为ITO或掺杂ZnO。