[发明专利]磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法

摘要

本发明涉及一种磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法。该磁控溅射镀膜设备包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器。在镀膜腔室中镀制ITO薄膜后，镀好ITO薄膜的玻璃基板依次通过第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室进行逐渐冷却，以释放ITO薄膜的内应力，降低ITO薄膜的硬度，制备柔韧性较高的ITO玻璃。

主权项

一种ITO玻璃的制备方法，包括如下步骤：提供玻璃基板；使所述玻璃基板运行至磁控溅射镀膜设备的镀膜腔室中，所述磁控溅射镀膜设备包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器，所述磁控溅射镀膜设备还包括与所述出口锁定室连接的加热室及与所述加热室相连的第五冷却室，所述镀膜腔室包括依次相连、且呈直线式排列的第一镀膜室、第二镀膜室、第三镀膜室、第四镀膜室、第五镀膜室、第六镀膜室、第七镀膜室、第八镀膜室和第九镀膜室，所述第九镀膜室与所述第一过渡室相连，所述第一镀膜室、第二镀膜室、第三镀膜室、第四镀膜室、第五镀膜室、第六镀膜室、第七镀膜室、第八镀膜室和第九镀膜室均与抽真空设备相连，所述第一过渡室、所述第二过渡室、所述缓冲室和所述出口锁定室均与抽真空设备相连，所述镀膜腔室与所述第一过渡室通过第一阀门连接，所述第一过渡室和所述第二过渡室通过第二阀门连接，所述第二过渡室和所述缓冲室通过第三阀门连接，所述缓冲室和所述出口锁定室通过第四阀门连接，采用磁控溅射在所述玻璃基板上制备ITO薄膜，其中，镀膜腔室的设定温度为380℃～600℃；将镀好ITO薄膜的所述玻璃基板依次通过所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室及出口锁定室后运行出所述磁控溅射镀膜设备，得到ITO玻璃，其中，通过所述加热器控制所述第一过渡室的设定温度为300℃～500℃、所述第二过渡室的设定温度为250℃～400℃、所述缓冲室的设定温度为100℃～300℃及所述出口锁定室的设定温度为20℃～200℃，并且所述第一过渡室、所述第二过渡室、所述缓冲室和所述出口锁定室的设定温度依次降低，所述第一过渡室的真空度为0.003Pa～0.5Pa、所述第二过渡室的真空度为0.003Pa～0.5Pa，所述缓冲室的真空度为0.003Pa～0.5Pa，所述出口锁定室的真空度为0.003Pa～0.5Pa，所述磁控溅射镀膜设备的第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门的开启时间均为0.01s～0.2s，所述第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门的关闭时间均为0.01s～0.2s；还包括在所述磁控溅射镀膜设备的加热室中对所述ITO玻璃进行加热及在所述第五冷却室中对所述ITO玻璃进行冷却的步骤，所述加热室的设定温度为200℃～400℃，所述第五冷却室的设定温度为50℃～300℃，所述加热室和所述第五冷却室内的压强均为大气压。