[发明专利]磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜设备及ITO玻璃的制备方法。

背景技术

ITO(氧化铟锡)为n型多晶态薄膜材料，是目前在平板显示、触控等方面应用最广的透明导电材料。无论是LCD、电阻式触摸屏还是电容式触摸屏，目前都大量采用ITO玻璃作为其透明导电基板。ITO玻璃包括玻璃基板及层叠于玻璃基板上的ITO薄膜。

随着柔性显示、柔性触控、曲面显示、曲面触控等柔性显示、触控等产品越来越多的，对透明导电基板的柔韧性、可弯曲能力提出新要求。

然而，目前ITO玻璃多采用磁控溅射方式生产，受制于生产设备及生产工艺，ITO薄膜的内应力较大、硬度较高，而柔韧性不足，在后续加工、使用过程中难以避免ITO薄膜出现断层、开裂、脱落等现象，因而难以满足柔性显示产品的需求。

发明内容

基于此，有必要提供一种磁控溅射镀膜设备，用于制备柔韧性较高的ITO玻璃。

进一步，提供一种ITO玻璃的制备方法。

一种磁控溅射镀膜设备，包括依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器。

在其中一个实施例中，所述第一过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述第二过渡室的长度为0.9m～3.6m，所述缓冲室的长度为0.9m～3.6m，所述出口锁定室的长度为0.9m～3.6m。

在其中一个实施例中，所述镀膜腔室与所述第一过渡室通过第一阀门连接，所述第一过渡室和所述第二过渡室通过第二阀门连接，所述第二过渡室和所述缓冲室通过第三阀门连接，所述缓冲室和所述出口锁定室通过第四阀门连接。

在其中一个实施例中，还包括与所述出口锁定室连接的加热室及与所述加热室相连的第五冷却室。

一种ITO玻璃的制备方法，包括如下步骤：

提供玻璃基板；

使所述玻璃基板运行至上述磁控溅射镀膜设备的镀膜腔室中，采用磁控溅射在所述玻璃基板上制备ITO薄膜，其中，镀膜腔室的设定温度为380℃～600℃；

将镀好ITO薄膜的所述玻璃基板依次通过所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室及出口锁定室后运行出所述磁控溅射镀膜设备，得到ITO玻璃；其中，通过所述加热器控制所述第一过渡室的设定温度为300℃～500℃、所述第二过渡室的设定温度为250℃～400℃、所述缓冲室的设定温度为100～300℃及所述出口锁定室的设定温度为20℃～200℃。

在其中一个实施例中，所述采用磁控溅射在所述玻璃基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述玻璃基板的运行速度为0.6m/min～2.5m/min。

在其中一个实施例中，所述镀好ITO薄膜的所述玻璃基板依次通过所述第一过渡室、第二过渡室、缓冲室及出口锁定室后运行出所述磁控溅射镀膜设备的运行速度均为0.6m/min～2.5m/min。

在其中一个实施例中，所述磁控溅射镀膜设备的第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门的开启时间均为0.01s～0.2s，所述第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门的关闭时间均为0.01s～0.2s。

在其中一个实施例中，还包括在所述磁控溅射镀膜设备的加热室中对所述ITO玻璃进行加热及在所述第五冷却室中对所述ITO玻璃进行冷却的步骤，所述加热室的设定温度为200℃～400℃，所述第五冷却室的设定温度为50℃～300℃，所述加热室和所述第五冷却室内的压强均为大气压。

在其中一个实施例中，所述ITO玻璃在所述加热室的运行速率为0.6m/min～5m/min，所述ITO玻璃在所述第五冷却室的运行速率为0.6m/min～5m/min。

上述磁控溅射镀膜设备通过设置依次相连的镀膜腔室、第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室，且第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室中均设置有加热器，可以通过加热器分别控制第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室的温度，使得在镀膜腔室中镀制ITO薄膜后，镀好ITO薄膜的玻璃基板依次通过第一过渡室、第二过渡室、缓冲室和出口锁定室进行逐渐冷却，以释放ITO薄膜的内应力，降低ITO薄膜的硬度，制备柔韧性较高的ITO玻璃。

附图说明

图1为一实施方式的磁控溅射镀膜设备的结构示意图；

图2为一实施方式的ITO玻璃的制备方法的流程图。

具体实施方式