[发明专利]一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510006670.9 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104451568A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 彭栋梁;王俊宝;王来森 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，涉及纳米复合薄膜。将两片Fe65Co35靶安装在对向靶装置上；将Ni0.5Zn0.5Fe2O4靶安装在单靶上，将硅基片固定在沉积室内样品架上并抽真空；产生Fe、Co原子蒸汽，气相Fe、Co原子在溅射室中形成Fe65Co35合金纳米颗粒，经过过滤区喷嘴的筛选后得纳米粒子束流，进入沉积室并沉积到基片上；制备Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜；在旋转系统作用下使基片交替沉积Fe65Co35合金纳米颗粒和Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜，使Fe65Co35合金纳米颗粒在真空中直接原位组装到Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜中形成双磁性相纳米复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将两片Fe65Co35靶安装在对向靶装置上，接直流电源；将Ni0.5Zn0.5Fe2O4靶安装在单靶上，接射频电源，将硅基片固定在沉积室内可旋转的样品架上并抽真空；2)产生Fe、Co原子蒸汽，气相Fe、Co原子在溅射室中通过与惰性气体的碰撞损失能量而形成Fe65Co35合金纳米颗粒，形成的Fe65Co35合金纳米颗粒在压力梯度的影响下经过过滤区喷嘴的筛选后得到纳米粒子束流，最终进入沉积室并沉积到硅基片上；3)制备Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜；4)在旋转系统的作用下，使硅基片交替沉积Fe65Co35合金纳米颗粒和Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜，使Fe65Co35合金纳米颗粒在真空中直接原位组装到Ni0.5Zn0.5Fe2O4薄膜中以形成(Fe65Co35)@(Ni0.5Zn0.5Fe2O4)双磁性相纳米复合薄膜。
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