[发明专利]一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将两片Fe₆₅Co₃₅靶安装在对向靶装置上，接直流电源；将Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄靶安装在单靶上，接射频电源，将硅基片固定在沉积室内可旋转的样品架上并抽真空；

2)产生Fe、Co原子蒸汽，气相Fe、Co原子在溅射室中通过与惰性气体的碰撞损失能量而形成Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒，形成的Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒在压力梯度的影响下经过过滤区喷嘴的筛选后得到纳米粒子束流，最终进入沉积室并沉积到硅基片上；

3)制备Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄薄膜；

4)在旋转系统的作用下，使硅基片交替沉积Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒和Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄薄膜，使Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒在真空中直接原位组装到Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄薄膜中以形成(Fe₆₅Co₃₅)@(Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄)双磁性相纳米复合薄膜。

2.如权利要求1所述一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述产生Fe、Co原子蒸汽采用对向靶等离子体溅射的方法产生Fe、Co原子蒸汽。

3.如权利要求1所述一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述形成Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒的方法采用等离子体溅射惰性气体冷凝法。

4.如权利要求1所述一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒的尺寸通过Ar、He的气体流量和比例来调节。

5.如权利要求1所述一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述Fe₆₅Co₃₅合金纳米颗粒的尺寸为4～18nm。

6.如权利要求1所述一种双磁性相纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述制备Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄薄膜通过传统磁控溅射的方法制备Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄薄膜。