[发明专利]静电保护电路

摘要

本发明的静电保护电路，包括第一输入/输出引脚、第二输入/输出引脚、电源输出端、接地端、钳位电路、功能单元、第一寄生晶闸管以及第二寄生晶闸管。所述第一寄生晶闸管包括所述第一N型连接区、所述第一P型掺杂区、所述第一P型连接区、所述第一N型掺杂区，所述第二寄生晶闸管包括所述第二N型连接区、所述第二P型掺杂区、所述第二P型连接区、所述第二N型掺杂区。本发明中，采用第一寄生晶闸管、第二寄生晶闸管以及钳位电路的组合电路来实现功能单元的静电放电保护，当第一输入/输出引脚上产生的静电脉冲可以通过第一寄生晶闸管和第二寄生晶闸管表面形成的二极管结构及其内部的寄生晶体管同时实现静电放电，静电保护能力更好。

主权项

一种静电保护电路，其特征在于，包括：第一输入/输出引脚、第二输入/输出引脚、电源输出端、接地端、钳位电路和功能单元，所述功能单元分别与所述第一输入/输出引脚、所述第二输入/输出引脚、所述电源输出端和所述接地端连接，所述钳位电路分别所述电源输出端和所述接地端连接；所述钳位电路包括RC回路、反相器电路，所述反相器电路包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极通过一第一节点相连；第一寄生晶闸管，所述第一寄生晶闸管包括位于第一半导体衬底内相邻的第一N阱和第一P阱，位于所述第一N阱表面且相互隔离的第一N型连接区和第一P型掺杂区，位于所述第一P阱表面且相互隔离的第一P型连接区和第一N型掺杂区，位于所述第一P阱表面的第一触发电压调整区，其中，所述第一N型连接区远离所述第一P阱，并连接所述电源输出端，所述第一P型掺杂区靠近所述第一P阱，并连接所述第一输入/输出引脚，所述第一N型掺杂区靠近所述第一N阱，并连接所述第二输入/输出引脚，所述第一P型连接区远离所述第一N阱，并连接所述接地端，并且所述第一P型掺杂区和所述第一N型掺杂区之间相互隔离，所述第一触发电压调整区连接所述第一节点；以及第二寄生晶闸管，所述第二寄生晶闸管包括位于第二半导体衬底内相邻的第二N阱和第二P阱，位于所述第二N阱表面且相互隔离的第二N型连接区和第二P型掺杂区，位于所述第二P阱表面且相互隔离的第二P型连接区和第二N型掺杂区，位于所述第二P阱表面的第二触发电压调整区，其中，所述第二N型连接区远离所述第二P阱，并连接所述电源输出端，所述第二P型掺杂区靠近所述第二P阱，并连接所述第二输入/输出引脚，所述第二N型掺杂区靠近所述第二N阱，并连接所述第一输入/输出引脚，所述第二P型连接区远离所述第二N阱，并连接所述接地端，并且所述第二P型掺杂区和所述第二N型掺杂区之间相互隔离，所述第二触发电压调整区连接所述第一节点。