[发明专利]一种高保持电压的可控硅整流器在审
| 申请号： | 201510003912.9 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104538436A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 谢金纯;何洪楷;朱敏;陈振家;韩春法 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高保持电压的可控硅整流器，该可控硅整流器P型衬底，设置有N阱区；所述N阱区内设置有第一掺杂区对，且在位于所述N阱区外部的所述P型衬底中还设置有第二掺杂区对和第三掺杂区对；所述第一掺杂区对、所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对均包括P型掺杂区和N型掺杂区。本发明在不增大面积及元器件的情况下即可增大SCR的保持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保持 电压 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
一种高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，包括：P型衬底，设置有N阱区；所述N阱区内设置有第一掺杂区对，且在位于所述N阱区外部的所述P型衬底中还设置有第二掺杂区对和第三掺杂区对；所述第一掺杂区对、所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对均包括P型掺杂区和N型掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510003912.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
