[发明专利]一种高保持电压的可控硅整流器在审
| 申请号： | 201510003912.9 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104538436A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 谢金纯;何洪楷;朱敏;陈振家;韩春法 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 保持 电压 可控 硅整流器 | ||
1.一种高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，包括：
P型衬底，设置有N阱区；
所述N阱区内设置有第一掺杂区对，且在位于所述N阱区外部的所述P型衬底中还设置有第二掺杂区对和第三掺杂区对；
所述第一掺杂区对、所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对均包括P型掺杂区和N型掺杂区。
2.如权要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第一掺杂区对中的所述P型掺杂区和所述N型掺杂区连接形成所述可控硅整流器的阳极。
3.如权要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第三掺杂区对中的所述P型掺杂区和所述N型掺杂区连接形成所述可控硅整流器的阴极。
4.如权要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第二掺杂区对中的所述P型掺杂区和所述N型掺杂区连接形成所述可控硅整流器的控制极。
5.如权利要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第二掺杂区对位于所述第一掺杂区对与所述第三掺杂区对之间。
6.如权利要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第二掺杂区对中的所述N型掺杂区相对于所述第二掺杂区对中的所述P型掺杂区与所述第三掺杂区对中的所述N型掺杂区临近。
7.如权利要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第一掺杂区对、所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对中的所述P型掺杂区中的掺杂浓度均高于所述P型衬底的掺杂浓度。
8.如权利要求1所述的高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第一掺杂区对、所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对中的所述N型掺杂区中的掺杂浓度均高于所述N阱区中的掺杂浓度。
9.如权利要求1所述高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第二掺杂区对和所述第三掺杂区对均位于所述P型衬底的上表面。
10.如权利要求1所述高保持电压的可控硅整流器，其特征在于，所述第一掺杂区对位于所述N阱区的上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510003912.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
