[发明专利]自支撑三维器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自支撑三维器件及其制备方法。包括S1提供一具有基本平坦的上表面的自支撑绝缘介质薄膜；S2在绝缘介质薄膜的上表面上形成导电层和至少一个具有预定图案的器件单元，以形成一复合层结构；S3对复合层结构进行切割，以得到至少一个与复合层结构成局部连接的悬空部；每一悬空部具有对应的一个器件单元；S4采用离子束辐照悬空部使得导电层发生变形，从而带动悬空部绕其与复合层结构的局部连接部向远离绝缘介质薄膜的方向弯曲；S5去除至少一部分导电层，得到绝缘的自支撑三维器件。该方法可在绝缘介质薄膜上制备三维结构且相互绝缘的微纳器件，具有可控性好、成本低且可大面积制备的优点。

主权项

一种制备自支撑三维器件的方法，包括：步骤S1：提供一自支撑的绝缘介质薄膜(10)，所述绝缘介质薄膜(10)具有平坦的上表面(11)；步骤S2：在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成导电层(20)和至少一个具有预定图案的器件单元(30)，以形成一复合层结构；步骤S3：对所述复合层结构进行切割，以得到至少一个与所述复合层结构成局部连接的悬空部(40)；其中，每一所述悬空部(40)具有对应的一个所述器件单元(30)；步骤S4：采用离子束辐照所述悬空部(40)，以使得所述导电层(20)发生变形，从而带动所述悬空部(40)绕其与所述复合层结构的局部连接部(41)向远离所述绝缘介质薄膜(10)的方向弯曲；以及步骤S5：去除至少一部分所述导电层(20)，得到绝缘的自支撑三维器件。