[发明专利]自支撑三维器件及其制备方法

权利要求书

1.一种制备自支撑三维器件的方法，包括：

步骤S1：提供一自支撑的绝缘介质薄膜(10)，所述绝缘介质薄膜(10)具有平坦的上表面(11)；

步骤S2：在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成导电层(20)和至少一个具有预定图案的器件单元(30)，以形成一复合层结构；

步骤S3：对所述复合层结构进行切割，以得到至少一个与所述复合层结构成局部连接的悬空部(40)；其中，每一所述悬空部(40)具有对应的一个所述器件单元(30)；

步骤S4：采用离子束辐照所述悬空部(40)，以使得所述导电层(20)发生变形，从而带动所述悬空部(40)绕其与所述复合层结构的局部连接部(41)向远离所述绝缘介质薄膜(10)的方向弯曲；以及

步骤S5：去除至少一部分所述导电层(20)，得到绝缘的自支撑三维器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成多个所述器件单元(30)；并且，在所述步骤S5中，去除部分所述导电层(20)，以使得任意两个所述器件单元(30)之间彼此绝缘。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述导电层(20)最多仅保留与所述器件单元(30)的所述预定图案相对应的部分。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述导电层(20)被全部去除。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中：

在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成所述导电层(20)，然后在所述导电层(20)上形成所述器件单元(30)；或者，

在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成所述器件单元(30)，然后在所述绝缘介质薄膜(10)的所述上表面(11)上形成所述导电层(20)，以使得所述器件单元(30)处于所述绝缘介质薄膜(10)与所述导电层(20)之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述悬空部(40)与所述复合层结构沿连续的直线连接。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述导电层(20)为金属材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述器件单元(30)的材料选自金、银、铜、铝、镍、钛、铬、ITO、氧化锌、氧化钛和氟化镁中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：具有窗口的基底(50)；所述绝缘介质薄膜(10)形成在所述基底(50)上并覆盖所述窗口。

10.一种自支撑三维器件，其采用权利要求1-9中任一项所述的方法制备而成。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

形成所述导电层(20)的材料选自铬、金和铜中的一种或多种。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述导电层(20)的厚度为3～10nm。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述绝缘介质薄膜(10)为氮化硅。