[发明专利]氧化物介电体及其制造方法、氧化物介电体的前体以及固体电子装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201480083996.5 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN107004596A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;井上聪;有贺智纪 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;安达满株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C01G33/00;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人： | 龚敏,王刚 |
| 地址： | 日本国石川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有优良特性的氧化物介电体以及具备其该氧化物介电体的固体电子装置(例如，高频滤波器、贴片天线、电容、半导体装置或微机电系统)。本发明的一种包含氧化物介电体的氧化物层30包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)，且在其铋(Bi)原子数为1时，其铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 介电体 及其 制造 方法 以及 固体 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物介电体，其包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物，其中，所述氧化物包含或不包含不可避免的杂质，在所述铋(Bi)原子数为1时，所述铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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