[发明专利]氧化物介电体及其制造方法、氧化物介电体的前体以及固体电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物介电体，其包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物，其中，所述氧化物包含或不包含不可避免的杂质，

在所述铋(Bi)原子数为1时，所述铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。

2.根据权利要求1所述的氧化物介电体，其中，

所述氧化物还具有含所述铋(Bi)与所述铌(Nb)的氧化物的非晶相。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物介电体，其中，

所述氧化物通过在含氧气氛中加热以前体溶液作为起始材料的前体来加以形成，其中，所述前体溶液以含所述铋(Bi)的前体及含所述铌(Nb)的前体作为溶质，就所述含所述铌(Nb)的前体而言，在所述铋(Bi)原子数为1时所述铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。

4.一种固体电子装置，具有权利要求1至3中任一项所述的所述氧化物介电体。

5.根据权利要求4所述的固体电子装置，其中，

所述固体电子装置为选自高频滤波器、贴片天线、电容、半导体装置以及微机电系统所组成的组中的1种。

6.一种氧化物介电体的制造方法，其包含以下所述的形成氧化物介电体层的工序：

通过由在含氧气氛中以520℃以上620℃以下的第1温度来加热以前体溶液作为起始材料的前体层来形成氧化物介电体层，

其中，所述前体溶液以含铋(Bi)的前体以及在所述铋(Bi)原子数为1时铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下的含所述铌(Nb)的前体为溶质；

所述氧化物介电体包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含所述铋(Bi)与所述铌(Nb)的氧化物，所述氧化物包含或不包含不可避免的杂质，并且在所述铋(Bi)原子数为1时，所述铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。

7.根据权利要求6所述的氧化物介电体的制造方法，其中，

所述氧化物还具有含所述铋(Bi)与所述铌(Nb)的氧化物的非晶相。

8.根据权利要求6或7所述的氧化物介电体的制造方法，其中，

将所述前体层在所述含氧气氛中加热后，还包括以所述第1温度以下的第2温度来加热的追加加热工序。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的氧化物介电体的制造方法，其中，

通过在形成所述氧化物介电体层前，在含氧气氛中以80℃以上300℃以下来加热所述前体层的状态下施予压印加工，从而形成所述前体层的压印结构。

10.根据权利要求9所述的氧化物介电体的制造方法，其中，

以1MPa以上20MPa以下的范围内的压力来施予所述压印加工。

11.一种固体电子装置的制造方法，其制造具有权利要求6至10中任一项所述的所述氧化物介电体的固体电子装置。

12.一种氧化物介电体的前体，其为具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物前体，其中，

将含所述铋(Bi)的前体以及在所述铋(Bi)原子数为1时所述铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下的含所述铌(Nb)的前体作为溶质来加以混合。