[发明专利]受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善有效
| 申请号： | 201480083536.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004601B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | K·J·辛格;A·M·迈尔斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属化层级和所述第二金属化层级之间的掩模，所述掩模包括具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运，其中，所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的每一个包括多条金属线，并且所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的至少一个的相邻金属线的一部分由空隙隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 受益 集成 电容 对准 短路 改善 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
